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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | X1-DFN1006-2, 2 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.76 |
| 最大击穿电压： | 7.2 V | 最小击穿电压： | 6.4 V |
| 击穿电压标称值： | 6.8 V | 最大钳位电压： | 19 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 85 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 最大重复峰值反向电压： | 5 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPD6V8LPN | DIODES |
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Surface-Mount Transient Voltage Suppressor |
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| TPD7000AF | TOSHIBA |
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IC 0.02 A 4 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO24, SSOP-24, MOSFET Driver |
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| TPD7000F | ETC |
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Quad MOSFET Driver |
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| TPD70R2K8C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD70R360M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |
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| TPD70R360MQ | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |
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| TPD70R600M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |
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| TPD70R700C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD70R700MFD | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |
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| TPD70R950M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |
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