是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life | 包装说明: | X1-DFN1006-2, 2 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.76 |
最大击穿电压: | 7.2 V | 最小击穿电压: | 6.4 V |
击穿电压标称值: | 6.8 V | 最大钳位电压: | 19 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PBCC-N2 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 85 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.25 W | 最大重复峰值反向电压: | 5 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPD6V8LP-7B | DIODES |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 85W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, X1-DFN | |
TPD6V8LPN | DIODES |
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Surface-Mount Transient Voltage Suppressor | |
TPD7000AF | TOSHIBA |
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IC 0.02 A 4 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO24, SSOP-24, MOSFET Driver | |
TPD7000F | ETC |
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Quad MOSFET Driver | |
TPD70R2K8C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采 | |
TPD70R360M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD70R360MQ | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD70R600M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD70R700C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采 | |
TPD70R700MFD | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |