TPD2E1B06DRLR

更新时间： 2024-11-19 12:33:35

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		瞬态抑制器二极管电视光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
13页	931K
描述
DUAL CHANNEL HIGH SPEED ESD PROTECTION DEVICE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPD2E1B06DRLR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.72	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	755095
Samacsys Pin Count：	6	Samacsys Part Category：	TVS Diode (Bi-directional)
Samacsys Package Category：	SO Transistor Flat Lead	Samacsys Footprint Name：	DRL0006A
Samacsys Released Date：	2018-12-01 14:21:22	Is Samacsys：	N
击穿电压标称值：	8.25 V	最大钳位电压：	15 V
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：	5.5 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

TPD2E1B06DRLR 数据手册

TPD2E1B06

www.ti.com

SLVSC77C –AUGUST 2013–REVISED SEPTEMBER 2013

DUAL CHANNEL HIGH SPEED ESD PROTECTION DEVICE

Check for Samples: TPD2E1B06

FEATURES

APPLICATIONS

•

Provides System Level ESD Protection for Low

Voltage IO Interface

•

Gaming Machines

eBook

•

IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating

IO Capacitance 1pF (Typ)

Portable Media Players

Digital Camera

DC Breakdown Voltage 7V (Min)

Ultra low Leakage Current 10nA (Max)

Low ESD Clamping Voltage

DESCRIPTION

The TPD2E1B06 is a dual channel ultra low cap ESD

protection device. It offers ±10KV IEC contact ESD

protection. Its 1pF line capacitance makes it suitable

for a wide range of applications. Typical application

interfaces are USB2.0, LVDS, and I2C. There are two

common layout methods for TPD2E1B06 and both

are highlighted in the Application Information section.

Automotive Temperature Range: –40°C to

125°C

•

Small Easy-to-Route DRL package

IOA1

IOB1

IOA2

IOB2

DRL

1.6 mm x 1.2 mm x 0.55mm

(0.5-mm pitch)

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of

Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

PRODUCTION DATA information is current as of publication date.

Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TPD2E1B06DRLR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPD2E2U06	TI	获取价格	Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device
TPD2E2U06_14	TI	获取价格	Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device
TPD2E2U06DCKR	TI	获取价格	适用于 USB 2.0 且具有 5.5A 8/20us 浪涌额定值的双路 1.5pF、5.
TPD2E2U06DRLR	TI	获取价格	适用于 USB 2.0 且具有 5.5A 8/20us 浪涌额定值的双路 1.5pF、5.
TPD2E2U06DRLR-P	TI	获取价格	Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device
TPD2E2U06-Q1	TI	获取价格	适用于 USB 和高速接口的汽车类双路 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极
TPD2E2U06QDBZRQ1	TI	获取价格	适用于 USB 和高速接口的汽车类双路 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极
TPD2E2U06QDCKRQ1	TI	获取价格	适用于 USB 和高速接口的汽车类双路 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极
TPD2EUSB30	TI	获取价格	2, 4-CHANNEL ESD SOLUTION FOR SUPER-SPEED (6 GBPS) USB 3.0 INTERFACE
TPD2EUSB30_1	TI	获取价格	2-CHANNEL ESD SOLUTION FOR SUPER-SPEED (6 GBPS) USB 3.0 INTERFACE

与TPD2E1B06DRLR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPD2E1B06DRLR

TPD2E1B06DRLR 技术参数

TPD2E1B06DRLR 数据手册

与TPD2E1B06DRLR相关器件

与TPD2E1B06DRLR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPD2E1B06DRLR

TPD2E1B06DRLR 技术参数

TPD2E1B06DRLR 数据手册

与TPD2E1B06DRLR相关器件

与TPD2E1B06DRLR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？