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TPCP8J01

更新时间： 2024-02-25 20:31:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
5页 190K
描述
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) ?Silicon NPN Epitaxial Type

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TPCP8J01 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
雪崩能效等级（Eas）：5.8 mJ最大集电极电流 (IC)：0.1 A
配置：SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR, DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
最小漏源击穿电压：32 V最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：0.049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

TPCP8J01 数据手册

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TPCP8J01  
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) ／Silicon NPN Epitaxial Type  
TPCP8J01  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
0.33±0.05  
A
5
M
0.05  
•
•
•
•
•
•
Lead(Pb)-Free  
Small mounting area due to small and thin package  
8
Low drain-source ON resistance: P Channel R  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: P Channel |Y | = 9.6 S (typ.)  
fs  
= 27 mΩ (typ.)  
Low leakage current: I  
Enhancement-mode: P Channel V = −0.8 to −2.0 V  
= −10 µA (V  
= −32 V)  
DS  
DSS  
0.475  
1
4
B
B
M
0.05  
0.65  
th  
2.9±0.1  
A
(V  
= −10 V, I = −1 mA)  
DS  
D
0.8±0.05  
S
0.025  
S
+0.1  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.28  
0.17±0.02  
-0.11  
+0.13  
-0.12  
MOSFET  
1.12  
1.12  
+0.13  
-0.12  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
+0.1  
0.28  
-0.11  
1．Emitter  
2．Drain  
3．Drain  
4．Drain  
5．Source  
6．Gate  
V
V
−32  
−32  
±20  
−5.5  
−22  
V
V
V
Drain-source voltage  
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
7．Base  
DGR  
GSS  
GS  
8．Collector  
V
JEDEC  
JEITA  
―
―
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
W
Pulse (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
TOSHIBA  
2-3V1G  
P
2.14  
1.06  
5.8  
D
D
Weight: 0.011 g (typ.)  
P
W
(Note 2b)  
Circuit Configuration  
Single pulse avalanche energy  
8
7
5
6
E
mJ  
AS  
(Note 3)  
Avalanche current  
I
−3  
A
AR  
R1  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
E
0.21  
mJ  
AR  
R2  
BRT  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
1
2
4
3
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Marking  
(Note5)  
6
V
8
7
6
5
Collector current  
DC (Note 1)  
I
100  
200  
mA  
mW  
C
Collector power dissipation  
P
C
Common Maximum Ratings  
(Ta=25°C )  
8J01  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
※
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
J
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
1
2
3
4
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with caution.  
Note: For Notes 1 to 5, refer to the next page.  
Lot No.  
1
2004-07-14  
12345

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