5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TPCP8J01(TE85LFM)
TPCP8J01(TE85LFM) PDF预览

TPCP8J01(TE85LFM)

更新时间： 2024-11-05 15:54:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 495K
描述
Power Field-Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

TPCP8J01(TE85LFM) 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Base Number Matches：1

TPCP8J01(TE85LFM) 数据手册

 浏览型号TPCP8J01(TE85LFM)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPCP8J01(TE85LFM)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPCP8J01(TE85LFM)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPCP8J01(TE85LFM)的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPCP8J01(TE85LFM)的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPCP8J01(TE85LFM)的Datasheet PDF文件第7页 
TPCP8J01  
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type  
TPCP8J01  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
0.33±0.05  
•
•
•
•
•
•
Lead(Pb)-Free  
Small mounting area due to small and thin package  
M
A
0.05  
5
8
Low drain-source ON resistance: P Channel R  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: P Channel |Y | = 9.6 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 27 mΩ (typ.)  
= −10 μA (max)(V = −32 V)  
DS  
DSS  
Enhancement-mode: P Channel V = −0.8 to −2.0 V  
th  
0.475  
1
4
B
M
B
0.05  
0.65  
(V  
DS  
= −10 V, I = −1 mA)  
D
2.9±0.1  
A
0.8±0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
S
0.025  
+0.1  
-0.11  
S
0.28  
0.17±0.02  
MOSFET  
+0.13  
-0.12  
1.12  
1.12  
+0.13  
-0.12  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−32  
−32  
±20  
−5.5  
−22  
V
V
V
+0.1  
-0.11  
DSS  
1. Emitter  
2. Drain  
3. Drain  
4. Drain  
5. Source0.28  
6. Gate  
V
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
7. Base  
V
Gate-source voltage  
GSS  
8. Collector  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
W
JEDEC  
JEITA  
―
―
Pulse (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
P
2.14  
1.06  
5.8  
D
D
TOSHIBA  
2-3V1G  
Weight: 0.011 g (typ.)  
P
W
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
Circuit Configuration  
E
mJ  
AS  
(Note 3)  
8
7
6
5
Avalanche current  
I
−3  
A
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
E
0.21  
mJ  
AR  
R1  
BRT  
R2  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
1
2
4
3
6
V
Marking (Note5)  
Collector current  
DC (Note 1)  
I
100  
200  
mA  
mW  
C
8
7
6
5
Collector power dissipation  
P
C
Note: For Notes 1 to 5, refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with caution.  
8J01  
※
1
2
3
4
Lot No.  
1
2018-05-15  
© 2018  
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与TPCP8J01(TE85LFM)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPCP8J01_07 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type
TPCP8L01 TOSHIBA

获取价格

 		Bipolar Small-Signal Transistors
TPCP8R01 TOSHIBA

获取价格

 		Bipolar Small-Signal Transistors
TPCPD-15-12S TOPPOWER

获取价格

 		15W Wide input AC/DC switching power supply
TPCPD-15-15S TOPPOWER

获取价格

 		15W Wide input AC/DC switching power supply
TPCPD-15-24S TOPPOWER

获取价格

 		15W Wide input AC/DC switching power supply
TPCPD-15-3.3S TOPPOWER

获取价格

 		15W Wide input AC/DC switching power supply
TPCPD-15-5S TOPPOWER

获取价格

 		15W Wide input AC/DC switching power supply
TPCPD-15-XS TOPPOWER

获取价格

 		15W Wide input AC/DC switching power supply
TPCPS-60-12S TOPPOWER

获取价格

 		60W Wide input AC/DC switching power supply

与TPCP8J01(TE85LFM)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证