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TPCP8J01(TE85LFM)

更新时间： 2024-01-26 15:16:40
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 495K
描述
Power Field-Effect Transistor

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TPCP8J01(TE85LFM) 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Base Number Matches：1

TPCP8J01(TE85LFM) 数据手册

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TPCP8J01  
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type  
TPCP8J01  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
0.33±0.05  
•
•
•
•
•
•
Lead(Pb)-Free  
Small mounting area due to small and thin package  
M
A
0.05  
5
8
Low drain-source ON resistance: P Channel R  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: P Channel |Y | = 9.6 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 27 mΩ (typ.)  
= −10 μA (max)(V = −32 V)  
DS  
DSS  
Enhancement-mode: P Channel V = −0.8 to −2.0 V  
th  
0.475  
1
4
B
M
B
0.05  
0.65  
(V  
DS  
= −10 V, I = −1 mA)  
D
2.9±0.1  
A
0.8±0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
S
0.025  
+0.1  
-0.11  
S
0.28  
0.17±0.02  
MOSFET  
+0.13  
-0.12  
1.12  
1.12  
+0.13  
-0.12  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−32  
−32  
±20  
−5.5  
−22  
V
V
V
+0.1  
-0.11  
DSS  
1. Emitter  
2. Drain  
3. Drain  
4. Drain  
5. Source0.28  
6. Gate  
V
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
7. Base  
V
Gate-source voltage  
GSS  
8. Collector  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
W
JEDEC  
JEITA  
―
―
Pulse (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
P
2.14  
1.06  
5.8  
D
D
TOSHIBA  
2-3V1G  
Weight: 0.011 g (typ.)  
P
W
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
Circuit Configuration  
E
mJ  
AS  
(Note 3)  
8
7
6
5
Avalanche current  
I
−3  
A
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
E
0.21  
mJ  
AR  
R1  
BRT  
R2  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
1
2
4
3
6
V
Marking (Note5)  
Collector current  
DC (Note 1)  
I
100  
200  
mA  
mW  
C
8
7
6
5
Collector power dissipation  
P
C
Note: For Notes 1 to 5, refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with caution.  
8J01  
※
1
2
3
4
Lot No.  
1
2018-05-15  
© 2018  
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
1234567...9

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