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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPCF8B01
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TPCF8B01

更新时间： 2024-11-26 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) / Schottky Barrier Diode

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TPCF8B01 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCF8B01 数据手册

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TPCF8B01  
TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) / Schottky Barrier Diode  
TPCF8B01  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R = 72 mÙ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 4.7 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= - 10 ìA (max) (V  
= - 20 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-model: V = - 0.5 to - 1.2 V(V  
=- 10 V, I = - 200 ìA)  
th  
DS  
D
Low forward voltage: V  
= 0.46V(typ.)  
FM  
Maximum Ratings  
MOSFET (Ta 25°C)  
=
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
- 20  
- 20  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kW)  
V
GS  
DGR  
V
±8  
GSS  
1. Anode 5. Drain  
2. Anode 6. Drain  
3.Source 7. Cathode  
DC  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 4)  
I
- 2.7  
- 10.8  
1.2  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
DP  
4. Gate  
8. Cathode  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current  
E
mJ  
A
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
I
- 1.35  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at dual operation  
E
0.11  
mJ  
AR  
(Note 2a, 3b, 5)  
TOSHIBA  
Weight: 0.011 g (typ.)  
SBD (Ta  
= 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Circuit Configuration  
8
7
5
6
Repetitive peak reverse voltage  
V
20  
V
A
RRM  
Average forward current (Note 2a, 6)  
I
1.0  
F(AV)  
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive)  
I
7(50Hz)  
A
FSM  
Maximum Ratings for MOSFET and SBD (Ta  
= 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
1.35  
1.12  
0.53  
0.33  
Unit  
1
2
4
3
Single-device operation  
(Note 3a)  
P
P
P
P
D (1)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
Drain power  
dissipation  
Marking (Note 7)  
(t = 5 s) (Note 2a) Single-device value at  
8
5
dual operation (Note 3b)  
W
Single-device operation  
Drain power  
dissipation  
(Note 3a)  
F8A  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
(t = 5 s) (Note 2b)  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
1
4
Storage temperature range  
T
- 55~150  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), (Note 5), (Note 6) and (Note 7), please refer to the next page.  
1
2003-04-08  
1234

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与TPCF8B01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPCF8B01(TE85L,F,M) TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
TPCF8B01_07 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) / Schottky Barrier Diode
TPCF8B01_09 TOSHIBA

获取价格

 		Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPCH106K010R2500 KYOCERA AVX

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 10uF, Surfac
TPCH106K010X2500 KYOCERA AVX

获取价格

 		Low ESR Tantalum Microchip
TPCH106M010R2500 KYOCERA AVX

获取价格

 		CAP TANT 10UF 10V 20% 0805
TPCH106M010X2500 KYOCERA AVX

获取价格

 		Low ESR Tantalum Microchip
TPCH336K004R1500 KYOCERA AVX

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 		Low ESR Tantalum Microchip
TPCH336K004X1500 KYOCERA AVX

获取价格

 		Low ESR Tantalum Microchip
TPCH336M004R1500 KYOCERA AVX

获取价格

 		CAP TANT 33UF 4V 20% 0805

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