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TPCF8303 PDF预览

TPCF8303

更新时间： 2024-11-26 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)

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TPCF8303 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCF8303 数据手册

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TPCF8303  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)  
TPCF8303  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 58 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 6.0 S (typ.)  
fs  
= −10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= −20 V)  
DS  
DSS  
Enhancement-model: V = −0.45 to −1.2 V  
th  
(V  
= −10 V, I = −200 µA)  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
-20  
-20  
±8  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
-3.0  
-12  
D
Drain current  
A
I
DP  
Single-device operation  
(Note 3a)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
P
P
P
P
1.35  
1.12  
0.53  
0.33  
D (1)  
Drain power  
dissipation  
Single-device value at  
(t = 5 s) (Note 2a)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
dual operation (Note 3b)  
TOSHIBA  
2-3U1B  
W
Single-device operation  
(Note 3a)  
Weight: 0.011 g (typ.)  
Drain power  
dissipation  
Single-device value at  
(t = 5 s) (Note 2b)  
dual operation (Note 3b)  
Circuit Configuration  
8
7
5
6
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current  
(Note 4)  
E
0.58  
-1.5  
mJ  
A
AS  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at dual operation  
E
0.11  
mJ  
AR  
(Note 2a, 3b, 5)  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
1
2
4
3
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), (Note 5) and (Note 6),  
please refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
Marking (Note 6)  
8
5
4
F5C  
1
1
2003-07-16  
1234

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