TPCF8301

更新时间： 2024-11-26 03:26:47

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U－MOSゲ)

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TPCF8301 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, 2-3U1B, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.7 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCF8301 数据手册

ＴＯＳＨＩＢＡ

TPCF8301

TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U－MOSⅢ)

ＴＰＣＦ８３０１

Ｔｅｎｔａｔｉｖｅ

NOTE BOOK PC APPLICATIONS

PORTABLE EQUIPMENTS APPLICATIONS

UNIT:mm

2.9±0.1

0.3 +0.1／-0.05

・Low Drain - Source ON Resistance：Ｒ_{ＤＳ(ＯＮ)}＝72ｍΩ(Typ.)

・High Forward Transfer Admittance：|Ｙ_ｆｓ|＝6 S(Typ.)

0.3±0.1

・Low Leakage Current：Ｉ_ＤＳＳ＝-10μＡ(Max.) (Ｖ_ＤＳ＝-20Ｖ)

・Enhancement - Mode：Ｖ_ｔｈ＝-0.5 ～ -1.2Ｖ(Ｖ_ＤＳ＝-10Ｖ,Ｉ_Ｄ＝-200µＡ)

Maximum Ratings (T_a=25℃)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol Rating

Unit

0.65

Ｖ_ＤＳＳ

Ｖ_ＤＧＲ

Ｖ_ＧＳＳ

Ｉ_Ｄ

-20

Ｖ

0.95

Drain-gate voltage(R_GS=20kΩ)

Gate-source voltage

±8

2.9±0.2

Drain current

Pulse

(Note 1)

-2.7

-10.8

Ａ

Ｗ

(Note 1) Ｉ_ＤＲ

Drain power

Single-device operation

Ｐ_Ｄ(1)

1.35

1.12

0.53

0.33

0.8±0.05

dissipation

(Note 3a)

(t=5s)(Note 2a)

+0.25

0.25 -0.15

Single-device value at

0.05

Ｐ_Ｄ(2)

Ｐ_Ｄ(1)

Ｐ_Ｄ(2)

dual operation (Note 3b)

Single-device operation

(Note 3a)

Drain power

1：SOURCE1 5：DRAIN 2

4. Source

1. Drain

1：DRAIN

5：SOURCE

dissipation

2：GATE 1

2. Drain

6：DRAIN2

5. Drain

2：DRAIN

6：DRAIN

(t=5s)(Note 2b)

3：SOURCE2 7：DRAIN1

6. Drain

3. Gat

Single-device value at

dual operation (Note 3b)

3：DRAIN

7：DRAIN

4：GATE2

8：DRAIN1

4：GATE

8：DRAIN

Single pulse avalanche energy (Note 4) Ｅ_ＡＳ

1.2

ｍＪ

Ａ

ＪＥＤＥＣ

―

Avalanche current

Ｉ_ＡＲ

-1.35

Repetitive avalanche energy

ＪＥＩＴＡ

Single-device value at dual operation Ｅ_ＡＲ

(Note 2a,3b,5)

0.11

ｍＪ

TOSHIBA

Channel temperature

Ｔ_ｃｈ

150

℃

Storage temperature range

Ｔ_ｓｔｇ-55～150

Circuit Configuration

THERMAL CHARACTERISTICS

Unit

Characteristics

Symbol

Max

Thermal resistance, Single-device

℃/Ｗ

R_th(ch-a)(1)

92.6

channel to ambient operation (Note 3a)

(t=5s)

Single-device value at

dual operation (Note 3b)

R_th(ch-a)(2)

R_th(ch-a)(1)

R_th(ch-a)(2)

111.6

235.8

378.8

(Note 2a)

Thermal resistance, Single-device

℃/Ｗ

channel to ambient operation (Note 3a)

(t=5s)

Single-device value at

dual operation (Note 3b)

(Note 2b)

Note1, Note2, Note3, Note4, Note5 Please see next page.

THIS TRANSISTOR IS AN ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.

12 3 4 5

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