TPCF8105

更新时间： 2024-11-26 12:33:23

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

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TPCF8105 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.041 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCF8105 数据手册

TPCF8105

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

TPCF8105

1. Applications

•

Lithium-Ion Secondary Batteries

•

Power Management Switches

2. Features

(1) Small footprint due to a small and thin package

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 24 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

(3) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -20 V)

(4) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -0.5 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

5: Source

4: Gate

1, 2, 3, 6, 7, 8: Drain

VS-8

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

-20

±12

(Note 1)

(Note 2)

(Note 3)

(Note 4)

-6

IDP

-24

(t = 5 s)

2.5

Power dissipation

0.7

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

EAS

IAR

23.4

-6

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150



-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2010-09-13

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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