TPCF8104

更新时间： 2024-11-25 22:42:03

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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3页	77K
描述
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U?MOS?)

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TPCF8104 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.038 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCF8104 数据手册

ＴＯＳＨＩＢＡ

ＴＰＣＦ８１０４

TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U－MOSⅣ)

ＴＰＣＦ８１０４

Ｔｅｎｔａｔｉｖｅ

UNIT:mm

NOTE BOOK PC APPLICATIONS

PORTABLE EQUIPMENTS APPLICATIONS

Low Drain - Source ON Resistance：Ｒ_{ＤＳ(ＯＮ)}＝26ｍΩ(Typ.)

・High Forward Transfer Admittance：|Ｙ_ｆｓ|＝Ｓ(Typ.)

・Low Leakage Current：Ｉ_ＤＳＳ＝-10μＡ(Max.) (Ｖ_ＤＳ＝-30Ｖ)

・Enhancement - Mode：Ｖ_ｔｈ＝-0.8 ～ -2.0Ｖ(Ｖ_ＤＳ＝-10Ｖ,Ｉ_Ｄ＝-1mＡ)

2.9±0.1

0.3

+0.1 ／－

0.3±0.1

0.025 M

0 05

MAXIMUM RATINGS（Ta＝25℃）

CHARACTERISTIC

Drain - Source Voltage

Drain - Gate Voltage

(Ｒ_ＧＳ＝20ｋΩ)

SYMBOL

Ｖ_ＤＳＳ

Ｖ_ＤＧＲ

RATING

-30

UNIT

Ｖ

-30

Ｖ

0.65

Gate - Source Voltage

Ｖ_ＧＳＳ

Ｉ_Ｄ

±20

-6

Ｖ

Ａ

Ｗ

0.95

DC (Note1)

Drain Current

Pulse (Note1) Ｉ_ＤＰ

-24

2.5

2.9±0.2

Ｐ_Ｄ

Drain Power Dissipation (t=5s)

(Note2a)

Ｗ

Drain Power Dissipation (t=5s)

(Note2b)

0.7

0.475

0.8±0.05

SinglePulseAvalancheEnergy(Note3) Ｅ_ＡＳ

Avalanche Current Ｉ_ＡＲ

Repetitive Avalanche Energy (Note4) Ｅ_ＡＲ

5.9

ｍＪ

Ａ

+0.25

0.05

0.25 -0.15

0.05

0.25

150

ｍＪ

℃

Channel Temperature

Ｔ_ｃｈ

4. Source

5：SOURCE

1. Drain

Storage Temperature Range

Ｔ_ｓｔｇ－55～150 ℃

1：DRAIN

2：DRAIN

3：DRAIN

4：GATE

5. Drain

6：DRAIN

2. Drain

6 Drain

7：DRAIN

8：DRAIN

3. Gat

THERMAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTICS

SYMBOL

MAX. UNIT

Thermal Resistance, Channel to

Ambient (t=5s) (Note2a)

Thermal Resistance, Channel to

Ambient (t=5s) (Note2b)

Ｒ_{ｔｈ(ｃｈ－ａ)}50.0 ℃／Ｗ

ＪＥＤＥＣ

ＪＥＩＴＡ

TOSHIBA

―

Ｒ_{ｔｈ(ｃｈ－ａ)}178.6 ℃／Ｗ

―

Note1, Note2, Note3, Note4, Note5 Please see next page.

THIS TRANSISTOR IS AN ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.

PLEASE HANDLE WITH CAUTION.

Circuit Configuration

12 3

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