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TPCF8104(TE85L,F,M

更新时间： 2024-11-26 21:09:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 234K
描述
MOSFET P-CH -30V -6A VS-8

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TPCF8104(TE85L,F,M 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.23Base Number Matches：1

TPCF8104(TE85L,F,M 数据手册

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TPCF8104  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ)  
TPCF8104  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 21 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 9.6 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
Enhancement mode:  
= −10 μA (max) (V  
= −30 V)  
DSS  
DS  
V
= −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1mA)  
DS D  
th  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
JEDEC  
JEITA  
―
―
−30  
−30  
±20  
−6  
V
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
TOSHIBA  
2-3U1A  
V
GSS  
I
DC  
(Note 1)  
Weight: 0.011 g (typ.)  
D
Drain current  
A
I
−24  
Pulse (Note 1)  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
(Note 2a)  
2.5  
0.7  
W
W
P
D
D
Circuit Configuration  
(t = 5 s)  
(Note 2b)  
P
8
7
6
5
5.8  
−3  
mJ  
A
Single pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
AS  
I
AR  
0.25  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
150  
T
T
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
1
2
3
4
stg  
Note: (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4): See the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2009-09-29  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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