TPCF8103

更新时间： 2024-11-26 03:26:47

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	77K
描述
TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U－MOSゲ)

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TPCF8103 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A
最大漏极电流 (ID)：	2.7 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCF8103 数据手册

ＴＯＳＨＩＢＡ

TPCF8103

TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U－MOSⅢ)

ＴＰＣＦ８１０３

Ｔｅｎｔａｔｉｖｅ

NOTE BOOK PC APPLICATIONS

PORTABLE EQUIPMENTS APPLICATIONS

UNIT:mm

・Low Drain - Source ON Resistance：Ｒ_{ＤＳ(ＯＮ)}＝72ｍΩ(Typ.)

・High Forward Transfer Admittance：|Ｙ_ｆｓ|＝6 S(Typ.)

2.9±0.1

0.3 +0.1／－0.05

0.3±0.1

・Low Leakage Current：Ｉ_ＤＳＳ＝-10μＡ(Max.) (Ｖ_ＤＳ＝-20Ｖ)

・Enhancement - Mode：Ｖ_ｔｈ＝-0.5 ～ -1.2Ｖ(Ｖ_ＤＳ＝-10Ｖ,Ｉ_Ｄ＝-200µＡ)

0.025 M

MAXIMUM RATINGS（Ta＝25℃）

CHARACTERISTIC

Drain - Source Voltage

Drain - Gate Voltage

(Ｒ_ＧＳ＝20ｋΩ)

SYMBOL

Ｖ_ＤＳＳ

Ｖ_ＤＧＲ

RATING

-20

UNIT

Ｖ

-20

Ｖ

0.65

0.95

Gate - Source Voltage

Ｖ_ＧＳＳ

Ｉ_Ｄ

±8

-2.7

-10.8

2.5

Ｖ

Ａ

Ｗ

0.95

DC (Note1)

Drain Current

Pulse (Note1) Ｉ_ＤＰ

2.9±0.2

Ｐ_Ｄ

Drain Power Dissipation (t=5s)

(Note2a)

Ｗ

Drain Power Dissipation (t=5s)

(Note2b)

0.7

0.47

0.8±0.05

SinglePulseAvalancheEnergy(Note3) Ｅ_ＡＳ

Avalanche Current Ｉ_ＡＲ

Repetitive Avalanche Energy (Note4) Ｅ_ＡＲ

1.2

-1.35

0.25

150

ｍＪ

Ａ

+0.25

0.05

0.25 -0.15

ｍＪ

℃

0.05

Channel Temperature

Ｔ_ｃｈ

4. Source

5：SOURCE

5. Drain

6：DRAIN

7：DRAIN

8：DRAIN

1. Drain

1：DRAIN

Storage Temperature Range

Ｔ_ｓｔｇ－55～150 ℃

2. Drain

Circuit Configuration

3. Gat

2：DRAIN

6 Drain

THERMAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTICS

3：DRAIN

4：GATE

SYMBOL

MAX. UNIT

Thermal Resistance, Channel to

Ambient (t=5s) (Note2a)

Thermal Resistance, Channel to

Ambient (t=5s) (Note2b)

Ｒ_{ｔｈ(ｃｈ－ａ)}50.0 ℃／Ｗ

ＪＥＤＥＣ

ＪＥＩＴＡ

TOSHIBA

―

Ｒ_{ｔｈ(ｃｈ－ａ)}178.6 ℃／Ｗ

―

Note1, Note2, Note3, Note4, Note5 Please see next page.

THIS TRANSISTOR IS AN ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.

PLEASE HANDLE WITH CAUTION.

12 3

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