5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPCF8102
TPCF8102 PDF预览

TPCF8102

更新时间： 2024-11-25 22:42:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 225K
描述
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)

阅读下载

中文翻译

获取价格

TPCF8102 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.86Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.041 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCF8102 数据手册

 浏览型号TPCF8102的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPCF8102的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPCF8102的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPCF8102的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPCF8102的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPCF8102的Datasheet PDF文件第7页 
TPCF8102  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)  
TPCF8102  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 24 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 14 S (typ.)  
fs  
= −10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= −20 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = −0.5 to −1.2 V  
th  
(V  
DS  
= −10 V, I = −200 µA)  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
−20  
−20  
Drain-source voltage  
V
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
±
8
GSS  
I
−6  
DC  
(Note 1)  
D
Drain current  
A
I
−24  
Pulsed (Note 1)  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
2.5  
0.7  
W
W
P
D
D
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
(Note 2b)  
P
TOSHIBA  
2-3U1A  
5.9  
−3  
mJ  
A
Single pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
AS  
Weight: 0.011 g (typ.)  
I
AR  
0.25  
150  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Circuit Configuration  
T
ch  
Storage temperature range  
T
−
55~150  
stg  
8
1
7
6
3
5
4
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
50.0  
Unit  
°C/W  
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
2
R
th (ch-a)  
th (ch-a)  
(Note 2a)  
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
R
178.6 °C/W  
(Note 2b)  
Note 1, Note 2, Note 3, Note 4 and Note 5: See the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2004-07-06  
1234567

中文翻译

下载PDF

与TPCF8102相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPCF8102_07 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)
TPCF8103 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U－MOSゲ)
TPCF8103_07 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)
TPCF8104 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U?MOS?)
TPCF8104(TE85L,F,M TOSHIBA

获取价格

 		MOSFET P-CH -30V -6A VS-8
TPCF8104_07 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Cha
TPCF8105 TOSHIBA

获取价格

 		MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)
TPCF8105(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),TSOP
TPCF8107 TOSHIBA

获取价格

 		Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches Notebook PCs
TPCF8107(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor

与TPCF8102相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证