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TPCF8101

更新时间： 2024-11-26 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)

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TPCF8101 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCF8101 数据手册

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TPCF8101  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)  
TPCF8101  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 22 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 14 S (typ.)  
fs  
= −10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= −12 V)  
DS  
DSS  
Enhancement-model: V = −0.5 to −1.2 V  
th  
(V  
= −10 V, I = −200 µA)  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
-12  
-12  
±8  
Drain-source voltage  
V
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kW)  
V
V
GS  
I
-6  
DC  
(Note 1)  
D
Drain current  
A
I
-24  
Pulsed (Note 1)  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
2.5  
0.7  
W
W
P
D
D
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
P
(Note 2b)  
TOSHIBA  
2-3U1A  
6.3  
-3  
mJ  
A
Single pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
AS  
Weight: 0.011 g (typ.)  
I
AR  
0.25  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Circuit Configuration  
150  
T
ch  
-55~150  
Storage temperature range  
T
stg  
8
7
6
5
4
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
50.0  
178.6 °C/W  
Unit  
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
1
2
3
R
°C/W  
th (ch-a)  
th (ch-a)  
(Note 2a)  
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
R
(Note 2b)  
Marking (Note 5)  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4) and (Note 5), please  
refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
F3A  
1
2002-08-28  
123456

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