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TPCF8003 PDF预览

TPCF8003

更新时间： 2024-11-26 06:01:55
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东芝 - TOSHIBA 电脑便携式便携式设备PC
页数 文件大小 规格书
7页 232K
描述
notebook PC Applications Portable Equipment Applications

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TPCF8003 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCF8003 数据手册

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TPCF8003  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ)  
TPCF8003  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON-resistance: R =14 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
（VGS= 4.5V）  
= 10 μA (max) (V = 20 V)  
•
•
Low leakage current: I  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 0.5 to 1.2 V  
th  
(V  
DS  
= 10 V, I = 200 μA)  
D
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
20  
20  
±12  
7
V
V
V
V
DSS  
1. Drain  
2. Drain  
3. Drain  
4. Gate  
5.Source  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
6. Drain  
7. Drain  
8. Drain  
V
GSS  
I
DC  
(Note 1)  
D
Drain current  
A
I
28  
Pulse (Note 1)  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
2.5  
0.7  
W
W
P
D
D
(Note 2a)  
TOSHIBA  
2-3U1A  
(t = 5 s)  
(Note 2b)  
P
Weight: 0.011 g (typ.)  
3.2  
3.5  
mJ  
A
Single pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
AS  
I
AR  
150  
Channel temperature  
T
°C  
°C  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
T
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Circuit Configuration  
Characteristics  
Symbol  
Max  
50.0  
Unit  
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
R
°C/W  
th (ch-a)  
th (ch-a)  
(Note 2a)  
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
(Note 2b)  
R
178.6 °C/W  
Note: For Notes 1 to 3, refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2010-01-14  
1234567

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