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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPC8061-H
TPC8061-H PDF预览

TPC8061-H

更新时间： 2024-11-25 08:40:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 216K
描述
Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)

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TPC8061-H 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC8061-H 数据手册

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TPC8061-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)  
TPC8061-H  
High Efficiency DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
•
•
•
•
Small footprint due to a small and thin package  
High-speed switching  
Small gate charge: Q  
= 3.5 nC (typ.)  
SW  
Low drain-source ON-resistance:  
= 21 mΩ (typ.) (V  
R
= 4.5 V)  
GS  
DS (ON)  
•
•
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 30 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 1.3 to 2.3 V (V  
= 10 V, I = 0.1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
30  
±20  
8
V
V
V
DSS  
1,2,3:SOURCE 4:GATE  
5,6,7,8:DRAIN  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GSS  
JEDEC  
―
―
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
JEITA  
Pulsed (Note 1)  
I
32  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
TOSHIBA  
2-5R1A  
P
1.9  
1.0  
W
W
D
D
Weight: 0.085 g (typ.)  
P
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
Circuit Configuration  
E
42  
8
mJ  
A
AS  
8
7
6
5
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
0.21  
mJ  
AR  
(Note 2a) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
1
2
3
4
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating  
Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2009-11-18  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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