TPC8061-H

更新时间： 2024-02-22 05:26:05

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	216K
描述
Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)

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TPC8061-H 技术参数

生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC8061-H 数据手册

TPC8061-H

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)

TPC8061-H

High Efficiency DC-DC Converter Applications

Unit: mm

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

•

Small footprint due to a small and thin package

High-speed switching

Small gate charge: Q

= 3.5 nC (typ.)

Low drain-source ON-resistance:

= 21 mΩ (typ.) (V

= 4.5 V)

DS (ON)

•

Low leakage current: I

= 10 μA (max) (V

= 30 V)

DSS

Enhancement mode: V = 1.3 to 2.3 V (V

= 10 V, I = 0.1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

±20

DSS

1,2,3:SOURCE 4:GATE

5,6,7,8:DRAIN

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

JEDEC

―

(Note 1)

Drain current

JEITA

Pulsed (Note 1)

Drain power dissipation

(t = 10 s)

(Note 2a)

(t = 10 s)

(Note 2b)

TOSHIBA

2-5R1A

1.9

1.0

Weight: 0.085 g (typ.)

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

Circuit Configuration

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

0.21

(Note 2a) (Note 4)

150

°C

Channel temperature

−55 to 150

Storage temperature range

stg

Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to

decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating

temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating

Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2009-11-18

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