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TPC6901A(TE85L)

更新时间： 2024-01-05 08:14:40
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 226K
描述
TRANSISTOR,BJT,PAIR,COMPLEMENTARY,50V V(BR)CEO,1A I(C),TSOP

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TPC6901A(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.88最大集电极电流 (IC)：1 A
最小直流电流增益 (hFE)：200最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN/PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
Base Number Matches：1

TPC6901A(TE85L) 数据手册

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TPC6901A  
TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type  
TPC6901A  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
MOS Gate Drive Applications  
•
•
NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package.  
High DC current gain : NPN h = 400 to 1000  
FE  
: PNP h = 200 to 500  
FE  
•
•
Low collector-emitter saturation voltage  
: NPN V  
: PNP V  
= 0.17 V (max)  
= －0.23 V (max)  
CE (sat)  
CE (sat)  
High-speed switching  
: NPN t = 85 ns (typ.)  
f
: PNP t = 70 ns (typ.)  
f
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Rating  
Characteristics  
Symbol  
Unit  
NPN PNP  
−50  
−50  
−50  
−7  
Collector-base voltage  
V
100  
80  
V
V
V
V
A
A
A
CBO  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
CEX  
CEO  
EBO  
V
V
50  
JEDEC  
JEITA  
―
―
7
I
1.0  
5.0  
0.1  
−0.7  
−5.0  
−0.1  
DC (Note 1)  
C
Collector current  
I
Pulse (Note 1)  
TOSHIBA  
2-3T1A  
CP  
Base current  
I
Weight: 0.011 g (typ.)  
B
Collector power  
dissipation (t=10 s)  
Single-device  
operation  
P
C
(Note 2)  
500  
400  
330  
mW  
Single-device  
operation  
P
C
(Note 2)  
Collector power  
dissipation (DC)  
mW  
Single-device value  
at dual operation  
P
C
(Note 2)  
Thermal resistance,  
junction to ambient  
(t=10 s)  
R
th (j-a)  
(Note 2)  
Single-device  
operation  
250  
312  
°C/W  
°C/W  
R
th (j-a)  
(Note 2)  
Single-device  
operation  
Thermal resistance,  
junction to ambient  
(DC)  
R
th (j-a)  
(Note 2)  
Single-device value  
at dual operation  
378  
150  
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1: Please use devices on condition that the junction temperature is below 150℃.  
Note 2: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm2)  
Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-07-06  
1234567

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