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TPB100RL

更新时间: 2024-02-11 00:05:05
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其他 - ETC 二极管击穿二极管
页数 文件大小 规格书
5页 153K
描述
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|133V V(BO) MAX|800MA I(S)|AXIAL-10

TPB100RL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.92
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
最大转折电压:133 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大维持电流:150 mA
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
通态非重复峰值电流:50 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
重复峰值反向电压:100 V子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches:1

TPB100RL 数据手册

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