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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 115K |  |
| 描述 | ||
| 133V, 30A, SILICON SURGE PROTECTOR | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LONG FORM, O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大转折电压： | 133 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 通态非重复峰值电流： | 30 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 触发设备类型： | SILICON SURGE PROTECTOR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPA110B-18 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
133V, 30A, SILICON SURGE PROTECTOR |
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| TPA110B-18-RL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
133V, 30A, SILICON SURGE PROTECTOR |
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| TPA110R550A | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPA112 | TI |
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150-mW STEREO AUDIO POWER AMPLIFIER |
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| TPA112D | TI |
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150-mW STEREO AUDIO POWER AMPLIFIER |
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| TPA112DG4 | TI |
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0.07W, 2 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
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| TPA112DGN | TI |
获取价格 |
150-mW STEREO AUDIO POWER AMPLIFIER |
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| TPA112DGNG4 | TI |
获取价格 |
0.07W, 2 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MSOP-8 |
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| TPA112DGNR | TI |
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150-mW Stereo Audio Power Amplifier 8-MSOP-PowerPAD |
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| TPA112DGNRG4 | TI |
获取价格 |
0.07W, 2 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MSOP-8 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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