TP868C12R

更新时间： 2024-11-16 03:26:47

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富士电机 - FUJI		整流二极管高压
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3页	74K
描述
High Voltage Schottky barrier diode

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TP868C12R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.82	应用：	HIGH VOLTAGE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：	225 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	30 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

TP868C12R 数据手册

(120V / 30A )

TP868C12R (30A)

[0401]

High Voltage Schottky barrier diode

Outline drawings, mm

Major characteristics

Characteristics TP868C12R Units Condition

V^RRM

V^F

120

0.88

Tc=25°C MAX.

Package : T-pack

Features

Applications

Epoxy resin UL : V-0

Low VF

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

High Voltage

Connection diagram

Center tap connection

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RSM

VRRM

Conditions

Item

Rating

120

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

tw=500ns, duty=1/40

120

Square wave, duty=1/2

Tc=122°C

Sine wave

10ms 1shot

IFSM

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

225

+150

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

**Rating per element

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

Max.

0.88

Unit

Conditions

I^FM=15A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

200

1.0

µA

Junction to case

Rth(j-c)

Thermal resistance

°C/W

Mechanical characteristics

Mounting torque

Recommended torque

0.3 to 0.5

N·m

Approximate mass

12 3

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