TP868C10R

更新时间： 2024-11-16 12:20:23

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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TP868C10R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	160 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	最大重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

TP868C10R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

TP868C10R

Schottky Barrier Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

100

50Hz square wave duty =1/2

Tc =113˚C

Average output current

30*

160

750

Non-repetitive forward surge current**

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

Non-repetitive reverse surge power

dissipation

PRM

tw=10μs, Tj=25˚C

Operating junction temperature

Storage temperature

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

0.86

Units

Forward voltage***

Reverse current***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

I = 15 A

=VRRM

200

µA

Rth(j-c)

Junction to case

1.25

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

Units

Approximate mass

1.6

12 3 4 5 6

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