Datasheet > TP865C15R

TP865C15R

更新时间： 2024-11-17 15:19:27

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		/
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Dual T-pack(P)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TP865C15R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, T-PACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	HIGH VOLTAGE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	150 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

TP865C15R 数据手册

(150V / 20A )

TP865C15R (20A)

[0401]

High Voltage Schottky barrier diode

Outline drawings, mm

Major characteristics

Characteristics TP865C15R Units Condition

V^RRM

V^F

150

0.90

Tc=25°C MAX.

Package : T-pack

Features

Applications

Epoxy resin UL : V-0

Low VF

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

High Voltage

Connection diagram

Center tap connection

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RSM

VRRM

Conditions

Item

Rating

150

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

tw=500ns, duty=1/40

150

Square wave, duty=1/2

Tc=115°C

Sine wave

10ms 1shot

IFSM

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

150

+150

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

**Rating per element

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

Max.

0.90

Unit

Conditions

I^FM=10A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

150

µA

Junction to case

Rth(j-c)

Thermal resistance

1.25

°C/W

Mechanical characteristics

Mounting torque

Recommended torque

0.3 to 0.5

N·m

Approximate mass

12 3

中文翻译

下载PDF

与TP865C15R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TP868C10R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
TP868C12R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
TP868C15R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
TP869C04R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
TP869C06R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
TP869C08R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
TP869C10R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
TP86R203NL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 30 V, 0.0062 Ω@10V, SOP-8, U-MOS
TP870	EXTECH	获取价格	Pocket Hygro-Thermo-Anemometer
TP8751BH	INTEL	获取价格	MCS 51 8-BIT CONTROL-ORIENTED MICROCONTROLLERS