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TP802C04RF192

更新时间: 2024-10-02 15:54:55
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 二极管
页数 文件大小 规格书
12页 492K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

TP802C04RF192 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流:120 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

TP802C04RF192 数据手册

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S P E C I F I C AT I O N  
Device Name SILICON DIODE  
Type Name  
Spec. No.  
TP802C04RF192  
MS5D3032  
D A T E  
N A M E  
APPROVED  
Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.  
DRAWN  
JAN.-25-07  
JAN.-25-07  
JAN.-25-07  
CHECKED  
CHECKED  
MS5D3032 1/12  
H04-004-07b  

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