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TP3006

更新时间： 2024-09-20 22:19:19
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 129K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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TP3006 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F6
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：25 W
最大功率耗散 (Abs)：25 W最小功率增益 (Gp)：9 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP3006 数据手册

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by TP3006/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
The TP3006 is designed for cellular radio base station amplifiers up to 960  
MHz. It incorporates high value emitter ballast resistors, gold metallizations and  
offers a high degree of reliability and ruggedness. The TP3006 also features  
input and output matching networks and high impedances. It can easily operate  
in a full 870–960 MHz bandwidth in a simple circuit.  
5 W, 870–960 MHz  
•
•
Class AB Operation  
RF POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Specified 26 Volts, 960 MHz Characteristics  
Output Power — 5 Watts  
Gain — 9 dB min  
Efficiency — 45% min  
•
Circuit board photomaster available upon request by contacting  
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
°C  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
CER  
V
CBO  
V
EBO  
45  
55  
Emitter–Base Voltage  
3.5  
Collector–Current — Continuous  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
I
C
2
T
stg  
– 40 to +100  
200  
T
J
°C  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
25  
0.14  
Watts  
W/°C  
CASE 319–07, STYLE 2  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (1)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
7
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 15 mA, R = 75 Ω)  
V
V
V
45  
3.5  
55  
—
—
—
—
—
—
—
—
4
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
(BR)CER  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 4 mAdc)  
E
(BR)EBO  
(BR)CBO  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 15 mAdc)  
C
Collector–Emitter Leakage  
I
CER  
(V  
CE  
= 26 V, R = 75 Ω)  
BE  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 0.5 Adc, V  
C CE  
h
FE  
15  
—
100  
—
= 10 Vdc)  
NOTE:  
(continued)  
1. Thermal resistance is determined under specified RF operating condition at temperature test point (see drawing of the package).  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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