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TP3005 PDF预览

TP3005

更新时间： 2024-09-20 22:19:19
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
UHF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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TP3005 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
基于收集器的最大容量：12.5 pF配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F6元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：25 W最大功率耗散 (Abs)：25 W
最小功率增益 (Gp)：8.5 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP3005 数据手册

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by TP3005/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
The TP3005 is designed for 960 MHz base stations in both analog and digital  
applications. It incorporates high value emitter ballast resistors, gold metalliza-  
tions and offers a high degree of reliability and ruggedness.  
•
•
Specified 26 Volts, 960 MHz Characteristics  
Output Power = 4.0 Watts  
Minimum Gain = 8.5 dB  
Class AB  
4.0 W, 960 MHz  
UHF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
I
Q
= 60 mA  
Circuit board photomaster available upon request by contacting  
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CER  
V
CBO  
V
EBO  
48  
4.0  
2.0  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
25  
0.2  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
CASE 319–07, STYLE 2  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (1) at 70°C Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
7.0  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 15 mA, R = 75 Ω)  
V
V
V
45  
4.0  
55  
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
(BR)CER  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 3.0 mAdc)  
C
(BR)EBO  
(BR)CBO  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 15 mAdc)  
E
—
Collector–Emitter Leakage  
I
3.0  
CER  
(V  
CE  
= 26 V, R = 75 Ω)  
BE  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 0.5 Adc, V  
C CE  
h
FE  
15  
—
100  
—
= 10 Vdc)  
NOTE:  
1. Thermal resistance is determined under specified RF operating condition.  
(continued)  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
1234

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