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TP2535N3-G

更新时间： 2024-11-19 21:12:51

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	613K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.086A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, GREEN, TO-92(N3), 3 PIN

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TP2535N3-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	7.88
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	350 V	最大漏极电流 (ID)：	0.086 A
最大漏源导通电阻：	30 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	25 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.74 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.74 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TP2535N3-G 数据手册

Supertex inc.

TP2535

P-Channel Enhancement Mode

Vertical DMOS FETs

Features

General Description

► Low threshold (-2.4V max.)

► High input impedance

► Low input capacitance (125pF max.)

► Fast switching speeds

► Low on-resistance

► Free from secondary breakdown

This low threshold enhancement-mode (normally-off)

transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’s

well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power handling

capabilities of bipolar transistors and with the high input

impedance and positive temperature coefﬁcient inherent

in MOS devices. Characteristic of all MOS structures,

this device is free from thermal runaway and thermally-

induced secondary breakdown.

► Low input and output leakage

Applications

► Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS

► Solid state relays

► Battery operated systems

► Photo voltaic drives

► Analog switches

► General purpose line drivers

► Telecom switches

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide

range of switching and amplifying applications where very

low threshold voltage, high breakdown voltage, high input

impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

Ordering Information

R_DS(ON)

V_GS(th)

I_D(ON)

Package Option

BV_DSS/BV_DGS

Device

(max)

(Ω)

(max)

(V)

(min)

(A)

(V)

TO-92

TP2535

TP2535N3-G

-350

-2.4

-0.4

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

Pin Conﬁguration

DRAIN

SOURCE

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Value

BV_DSS

GATE

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

TO-92 (N3)

BV_DGS

Product Marking

Gate-to-source voltage

±20V

SiTP

2 5 3 5

Y Y WW

YY = Year Sealed

Operating and storage temperature

Soldering temperature*

-55°C to +150°C

+300°C

WW = Week Sealed

= “Green” Packaging

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may

occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous operation

of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All voltages are

referenced to device ground.

Package may or may not include the following marks: Si or

TO-92 (N3)

Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

Supertex inc. ● 1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089 ● Tel: 408-222-8888 ● www.supertex.com

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TP2535N3-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVN0545A	DIODES	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVP0545A	DIODES	功能相似	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

与TP2535N3-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TP2535N3-GP002	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TP2535N3-GP003	MICROCHIP	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TP2535N3-GP005	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TP2535N3-GP013	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TP2535N3-GP014	MICROCHIP	获取价格	暂无描述
TP2535N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP2535N3P002	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP2535N3P003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.086A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
TP2535N3P004	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP2535N3P006	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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