5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TP2522N8-G
TP2522N8-G PDF预览

TP2522N8-G

更新时间： 2024-11-23 03:26:51
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 572K
描述
P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

TP2522N8-G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.31
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：220 V最大漏极电流 (ID)：0.26 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-243AAJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP2522N8-G 数据手册

 浏览型号TP2522N8-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TP2522N8-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TP2522N8-G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TP2522N8-G的Datasheet PDF文件第5页 
TP2522  
P-Channel Enhancement Mode  
Vertical DMOS FETs  
Features  
General Description  
This low threshold enhancement-mode (normally-off)  
transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’s  
well-proven silicon-gate manufacturing process. This  
combination produces a device with the power handling  
capabilities of bipolar transistors and with the high input  
impedance and positive temperature coefficient inherent  
in MOS devices. Characteristic of all MOS structures,  
this device is free from thermal runaway and thermally-  
induced secondary breakdown.  
► Low threshold — -2.4V max.  
► High input impedance  
► Low input capacitance — 125pF max.  
► Fast switching speeds  
► Low ON-resistance  
► Free from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
► Complementary N and P-channel devices  
Applications  
► Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS  
► Solid state relays  
► Battery operated systems  
► Photo voltaic drives  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide  
range of switching and amplifying applications where very  
low threshold voltage, high breakdown voltage, high input  
impedance, low input capacitance, and fast switching  
speeds are desired.  
► Analog switches  
► General purpose line drivers  
► Telecom switches  
Ordering Information  
RDS(ON)  
VGS(th)  
max  
(V)  
ID(ON)  
min  
(A)  
Package Options  
BVDSS/BVDGS  
max  
(V)  
TO-243AA (SOT-89)  
Die*  
(Ω)  
-22ꢀ  
12  
-2.4  
-ꢀ.75  
TP2522N8-G  
TP2522ND  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
* MIL visual screening available.  
Pin Configuration  
DRAIN  
SOURCE  
Absolute Maximum Ratings  
DRAIN  
GATE  
Parameter  
Value  
BVDSS  
TO-243AA (SOT-89) (N8)  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
Gate-to-source voltage  
Operating and storage temperature  
Soldering temperature*  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to  
the device may occur. Functional operation under these conditions is not  
implied. Continuous operation of the device at the absolute rating level  
may affect device reliability. All voltages are referenced to device ground.  
BVDGS  
2ꢀV  
Product Marking  
-55°C to +15ꢀ°C  
3ꢀꢀ°C  
TP5CW  
W = Code for week sealed  
TO-243AA (SOT-89) (N8)  
* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.  
12345

中文翻译

下载PDF

TP2522N8-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TP2522N8 SUPERTEX

功能相似

 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

与TP2522N8-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP2522ND SUPERTEX

获取价格

 		P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2535 SUPERTEX

获取价格

 		P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2535 MICROCHIP

获取价格

 		This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st
TP2535N3 SUPERTEX

获取价格

 		P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2535N3-G SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.086A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
TP2535N3-G MICROCHIP

获取价格

 		86mA, 350V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
TP2535N3-GP002 MICROCHIP

获取价格

 		SMALL SIGNAL, FET
TP2535N3-GP003 MICROCHIP

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
TP2535N3-GP005 MICROCHIP

获取价格

 		SMALL SIGNAL, FET
TP2535N3-GP013 MICROCHIP

获取价格

 		SMALL SIGNAL, FET

与TP2522N8-G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证