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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 20 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-226AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP2020L18-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2020L-1TR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2020L-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2020L-2-18 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2020LTA | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2020LTR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2020LTR1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2021 | 3PEAK |
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SC70, 1.8V, Nano-power Comparators with Voltage Reference |
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| TP2021-CR | 3PEAK |
获取价格 |
SC70, 1.8V, Nano-power Comparators with Voltage Reference |
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| TP2021-SR | 3PEAK |
获取价格 |
SC70, 1.8V, Nano-power Comparators with Voltage Reference |
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