5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF | JEDEC-95代码： | TO-226AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP2011 | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011-CR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011N | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011N-TR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011-SR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011-TR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011U | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011U2 | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011U2-TR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
| TP2011U-CR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
