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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF | JEDEC-95代码： | TO-226AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP2010L-1TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L-2TA | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L-2TR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010LTA | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010LTR1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2011 | 3PEAK |
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Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
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| TP2011-CR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
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| TP2011N | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
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| TP2011N-TR | 3PEAK |
获取价格 |
Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
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