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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.18 A | 最大漏源导通电阻： | 10 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP2010L18 | VISHAY |
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180mA, 200V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
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| TP2010L-18 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L18-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L-1TA | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L-2TA | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010L-2TR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010LTA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2010LTR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| TP2011 | 3PEAK |
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Ultra-Low Power 200nA, 1.6V, RRIO, Push-Pull Output Comparators |
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