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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK118-Y
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2SK118-Y

更新时间： 2024-02-25 18:32:56
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 转换器
页数 文件大小 规格书
4页 594K
描述
TRANSISTOR 3 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1B, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2SK118-Y 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：2-4E1B, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.28其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：0.003 AFET 技术：JUNCTION
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK118-Y 数据手册

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2SK118  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type  
2SK118  
General Purpose and Impedance Converter and  
Condenser Microphone Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
High breakdown voltage: V  
= −50 V  
GDS  
High input impedance: I  
= −1 nA (max) (V  
= −30 V)  
GSS  
GS  
Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (R = 100 kΩ, f = 120 Hz)  
G
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate-drain voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−50  
10  
V
GDS  
Gate current  
I
mA  
mW  
°C  
G
Drain power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
D
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-4E1B  
Weight: 0.13 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and  
estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= −30 V, V  
= 0  
⎯
⎯
⎯
−1.0  
nA  
V
GSS  
GS  
DS  
DS  
Gate-drain breakdown voltage  
V
= 0, I = −100 μA  
−50  
⎯
(BR) GDS  
G
I
DSS  
(Note)  
Drain current  
V
= 10 V, V  
= 0  
0.3  
⎯
6.5  
mA  
DS  
GS  
Gate-source cut-off voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
V
V
V
V
V
V
= 10 V, I = 0.1 μA  
−0.4  
1.2  
⎯
⎯
⎯
−5.0  
⎯
V
GS (OFF)  
⎪Y ⎪  
DS  
DS  
DS  
GD  
DS  
D
= 10 V, V  
= 10 V, V  
= 0, f = 1 kHz  
= 0, f = 1 MHz  
mS  
pF  
pF  
fs  
GS  
GS  
C
8.2  
2.6  
⎯
iss  
rss  
Reverse transfer capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
⎯
D
= 15 V, V  
= 0, R = 100 kΩ,  
G
GS  
Noise figure  
NF  
⎯
0.5  
5.0  
dB  
f = 120 Hz  
Note: I  
classification R: 0.3~0.75 mA, O: 0.6~1.4 mA, Y: 1.2~3.0 mA, GR: 2.6~6.5 mA  
DSS  
1
2007-11-01  
1234

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