生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-92 |
包装说明: | 2-5F1D, SC-43, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.3 |
其他特性: | LOW NOISE | 配置: | SINGLE |
FET 技术: | JUNCTION | JEDEC-95代码: | TO-92 |
JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK117_07 | TOSHIBA | Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications |
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2SK1170 | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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2SK1170 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK1170-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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2SK1171 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247 |
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2SK1171-01 | FUJI | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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