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2SK1062TE85R

更新时间： 2024-01-07 02:37:52

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关
页数	文件大小	规格书
5页	327K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal

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技术参数
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2SK1062TE85R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	18 pF	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1062TE85R 数据手册

2SK1062

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

2SK1062

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Analog Switching Applications

Interface Applications

•

Excellent switching time: t = 14 ns (typ.)

High forward transfer admittance: |Y | = 100 ms (min)

@I = 50 mA

•

Low on resistance: R

= 0.6 Ω (typ.) @ I = 50 mA

DS (ON) D

Enhancement-mode

Complementary to 2SJ168

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

±20

Gate-source voltage

GSS

JEDEC

JEITA

―

200

Drain current

Pulse

800

SC-59

2-3F1F

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

200

°C

stg

TOSHIBA

150

Weight: 0.012 g (typ.)

Storage temperature range

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Marking

2007-11-01

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SK1063M	ETC	MOSFETs	获取价格
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2SK1065-3	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 1.2MA I(DSS) \| SOT-23VAR	获取价格