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2SJ440

更新时间: 2024-02-01 10:39:42
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 119K
描述
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE

2SJ440 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:LEAD FREE, 2-16F1B, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.38Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:180 V
最大漏极电流 (ID):9 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ440 数据手册

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