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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ380F
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2SJ380F

更新时间： 2024-01-09 12:37:01
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动器转换器继电器电机DC-DC转换器
页数 文件大小 规格书
6页 228K
描述
Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

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2SJ380F 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/1005682.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1005682
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=10056823D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1005682
Samacsys PartID：1005682Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/2SJ380.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/2SJ380.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220NISSamacsys Released Date：2018-02-13 14:44:38
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：312 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.32 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ380F 数据手册

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2SJ380  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV)  
2SJ380  
Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
4-V gate drive  
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.15 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 7.7 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= −100 μA (max) (V  
= −100 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−100  
−100  
±20  
−12  
−48  
35  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
D
Drain current  
A
I
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
SC-67  
Single pulse avalanche energy  
E
312  
mJ  
TOSHIBA  
2-10R1B  
(Note 2)  
Weight: 1.9 g (typ.)  
Avalanche current  
I
−12  
3.5  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.57  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = −25 V, T = 25°C (initial), L = 2.94 mH, R = 25 Ω, I = −12 A  
AR  
V
DD  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2009-09-29  
123456

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