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2SJ349FT

更新时间： 2024-01-20 21:31:28
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动器转换器继电器电机
页数 文件大小 规格书
6页 400K
描述
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

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2SJ349FT 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ349FT 数据手册

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2SJ349  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2−π−MOSV)  
2SJ349  
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z
z
z
z
z
4-V gate drive  
Low drain−source ON-resistance  
: R  
= 33 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance : |Y | = 20 S (typ.)  
fs  
Low leakage current  
: I  
DSS  
= −100 μA (max) (V  
= −60 V)  
DS  
Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1 mA)  
th  
DS  
D
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−60  
−60  
±20  
−20  
−80  
45  
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse(Note 1)  
I
A
D
Drain current  
I
A
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single pulse avalanche energy  
P
W
D
AS  
AR  
SC-67  
E
800  
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
2-10R1B  
Avalanche current  
I
−20  
4.5  
A
Weight: 1.9 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
2.78  
62.5  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = −50 V, T = 25°C (initial), L = 1.44 mH, R = 25 Ω, I = −20 A  
AR  
V
DD  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2009-12-10  
123456

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