5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-64 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ315(2-7B2B) | TOSHIBA | TRANSISTOR 0.4 ohm, POWER, FET, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power |
获取价格 |
|
| 2SJ315(2-7B3B) | TOSHIBA | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B3B, SC-64, 3 P |
获取价格 |
|
| 2SJ315TE16R | TOSHIBA | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
获取价格 |
|
| 2SJ316 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
获取价格 |
|
| 2SJ317 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
获取价格 |
|
| 2SJ317 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
MAX487芯片引脚图及功能、应用领域详解
IR2110驱动芯片引脚图及功能、电路图详解
74LS74是什么芯片 74LS74引脚图及功能表
CD4511芯片引脚图及功能、电路图解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
