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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.29 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ108_07 | TOSHIBA | Low Noise Audio Amplifier Applications |
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| 2SJ108BL | ETC | TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SJ108-BL | TOSHIBA | TRANSISTOR P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1C, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig |
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| 2SJ108GR | ETC | TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SJ108V | ETC | TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 10MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SJ109 | TOSHIBA | P CAHNNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER, DIFFERENTIAL AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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