5秒后页面跳转
2SA1264 PDF预览

2SA1264

更新时间: 2024-01-23 07:26:50
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE

2SA1264 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):55
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

2SA1264 数据手册

 浏览型号2SA1264的Datasheet PDF文件第2页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

与2SA1264相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1264N JMNIC Silicon PNP Power Transistors

获取价格

2SA1264N SAVANTIC Silicon PNP Power Transistors

获取价格

2SA1264N ISC Silicon PNP Power Transistors

获取价格

2SA1264NO ISC Transistor

获取价格

2SA1264NR ISC Transistor

获取价格

2SA1265 TOSHIBA SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE

获取价格