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10FWJ2CZ47M

更新时间: 2024-01-31 13:20:06
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东芝 - TOSHIBA 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 171K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER STACK(LOW FORWARD VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE)

10FWJ2CZ47M 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.6Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.47 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:110 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

10FWJ2CZ47M 数据手册

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