5秒后页面跳转
015AZ6.8-X PDF预览

015AZ6.8-X

更新时间: 2024-01-12 20:34:46
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 166K
描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

015AZ6.8-X 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.92配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:25 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-F2
膝阻抗最大值:150 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:7.01 V
最大反向电流:0.5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2.5%
工作测试电流:5 mA

015AZ6.8-X 数据手册

 浏览型号015AZ6.8-X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号015AZ6.8-X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号015AZ6.8-X的Datasheet PDF文件第4页浏览型号015AZ6.8-X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号015AZ6.8-X的Datasheet PDF文件第6页 
015AZ2.0~015AZ12  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
015AZ2.0~015AZ12  
Constant Voltage Regulation Applications  
Unit: mm  
l Small package  
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%  
(2.0V~12V)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Power dissipation  
Symbol  
P*  
Rating  
Unit  
150  
125  
mW  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
-55~125  
°C  
stg  
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,  
Pad dimension of 4 × 4mm.  
JEDEC  
JEITA  
Electrical Characteristics  
TOSHIBA  
Weight: 1.4 mg  
1-1G1A  
(See Page 2~3)  
Marking  
Example 1: 015AZ12-×  
Example 2: 015AZ12-×  
Pin Assignment (top view)  
1
2001-10-30  

与015AZ6.8-X相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
015AZ6.8Y TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

获取价格

015AZ6.8-Y TOSHIBA TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

获取价格

015AZ6.8Z TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

获取价格

015AZ6.8-Z TOSHIBA TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

获取价格

015AZ7.5 TOSHIBA TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

获取价格

015AZ7.5-X TOSHIBA TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

获取价格