TN805-800B

更新时间： 2024-11-07 22:17:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置可控硅整流器
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SCR’s

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TN805-800B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us
最大直流栅极触发电流：	5 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	20 mA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.01 mA
湿度敏感等级：	1	通态非重复峰值电流：	73 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	8000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TN805-800B 数据手册

TN805/TN815-B

SCR’s

FEATURES

I_TRMS= 8 A

V_DRM= 400 V to 800 V

≤

I_GT5 mA and 15 mA

DESCRIPTION

The TN805/TN815-B serie of Silicon Controlled

Rectifiers uses a high performance TOPGLASS

PNPN technology.

These parts are intended for general purpose

applications using mount technology.

DPAK

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current

(180 conduction angle)

I_T(RMS)

Tc= 105 C

I_T(AV)

I_TSM

Mean on-state current

Tc= 105°C

(180 conduction angle)

Non repetitive surge peak on-state current

(Tj initial = 25°C)

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

tp = 10ms

I²t

I²t Value for fusing

24.5

100

A²s

A/ s

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

dI_G/dt = 1 A/ s.

I_G= 100 mA

Storage junction temperature range

Operating junction temperature range

T_stg

T_j

- 40 to + 150

- 40 to + 125

Maximum lead temperature for soldering during 10s

260

TN805 or TN815

Symbol

Parameter

Unit

400B

600B

700B

700

800B

V_DRM

V_RRM

Repetitive peak-off voltage

Tj = 125°C

400

600

800

August 1998 - Ed: 1A

1/5

12 3 4 5

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