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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> TN1625-1000G
TN1625-1000G PDF预览

TN1625-1000G

更新时间： 2024-11-10 22:42:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
7页 95K
描述
16A SCRs

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TN1625-1000G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.16Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：25 mA
最大直流栅极触发电压：1.3 V最大维持电流：40 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大漏电流：2 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：190 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：10000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：1000 V重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

TN1625-1000G 数据手册

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TN16 and TYNx16 Series  
®
STANDARD  
16A SCRs  
MAIN FEATURES:  
Symbol  
A
Value  
16  
Unit  
A
G
I
T(RMS)  
K
V
/V  
600 to 1000  
25  
V
DRM RRM  
A
I
mA  
GT  
A
K
A
G
K
DESCRIPTION  
A
G
2
D PAK  
The TYN / TN16 SCR Series is suitable for  
general purpose applications.  
Using clip assembly technology, they provide a  
superior performance in surge current capabilities.  
(TN16-G)  
TO-220AB  
(TYN)  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
I
RMS on-state current (180° conduction angle)  
T(RMS)  
Tc = 110°C  
16  
10  
A
A
T
Average on-state current (180° conduction angle)  
(AV)  
Tc = 110°C  
Tj = 25°C  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
200  
190  
TSM  
A
²
²
2
tp = 10 ms  
F = 60 Hz  
tp = 20 µs  
Tj = 25°C  
180  
50  
A S  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
Tj = 125°C  
A/µs  
I
= 2 x I , tr ≤ 100 ns  
G
GT  
I
Peak gate current  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
4
1
A
GM  
P
Average gate power dissipation  
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
stg  
°C  
V
Tj  
V
Maximum peak reverse gate voltage  
5
RGM  
April 2002 - Ed: 4A  
1/7  
1234567

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TN1625-1000G 替代型号

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