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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.8 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 35 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TN0610N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| TN0620 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TN0620 | MICROCHIP |
获取价格 |
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st |
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| TN06201000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| TN06202000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| TN0620N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN0620N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TN0620N3-G | MICROCHIP |
获取价格 |
250mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| TN0620N3-G | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| TN0620N3P001 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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