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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | N-M |
| 特性阻抗： | 50 Ω | 构造： | MODULE |
| 最大输入功率 (CW)： | 46.99 dBm | JESD-609代码： | e4 |
| 最大工作频率： | 6000 MHz | 最小工作频率： | |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 射频/微波设备类型： | RF/MICROWAVE TERMINATION | 端子面层： | Gold (Au) |
| 最大电压驻波比： | 1.25 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TN060M-5W | APITECH |
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RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 6000MHz Max, 50ohm, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| TN060MC | APITECH |
获取价格 |
RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 6000MHz Max, 50ohm, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| TN0610 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TN0610 | MICROCHIP |
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This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st |
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| TN0610_13 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| TN06100000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TN06109000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| TN0610N3 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TN0610N3-G | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN0610N3-GP002 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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