是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ24/26,.34 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 | 长度: | 17.145 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ24/26,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 3.76 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.0002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS464800-60DGC | TI |
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8MX8 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
TMS464800-60DZ | TI |
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8MX8 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO32 | |
TMS464800-70DGC | TI |
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8MX8 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
TMS464800-80DZ | TI |
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8MX8 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO32 | |
TMS464800P-70DGC | TI |
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8MX8 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
TMS464800P-70DZ | TI |
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8MX8 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO32 | |
TMS465169 | TI |
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4 194304 BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES | |
TMS465169-40DGE | TI |
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4MX16 EDO DRAM, 40ns, PDSO50 | |
TMS465169-60DGE | TI |
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4MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50 | |
TMS465169P | TI |
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DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |