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TMS44C256-80DJ

更新时间： 2024-09-23 19:54:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	658K
描述
256KX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20

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TMS44C256-80DJ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34	针数：	20
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.A.2
HTS代码：	8542.31.00.01	风险等级：	5.82
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	长度：	17.145 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	3.76 mm	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.57 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TMS44C256-80N	TI	获取价格	256KX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDIP20
TMS44C256-80SD	TI	获取价格	256KX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
TMS44C256J-10	TI	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC
TMS44C257-10DJ	ETC	获取价格	x4 Static Column Mode DRAM
TMS44C257-10N	ETC	获取价格	x4 Static Column Mode DRAM
TMS44C257-10NL	TI	获取价格	256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 100ns, PDIP20
TMS44C257-12DJ	TI	获取价格	IC,DRAM,STATIC COL,256KX4,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC
TMS44C257-12DJL	TI	获取价格	256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20
TMS44C257-12N	TI	获取价格	IC,DRAM,STATIC COL,256KX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC
TMS44C257-12NL	TI	获取价格	256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDIP20