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TMS44C256-60N

更新时间: 2024-09-23 19:17:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1267K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC

TMS44C256-60N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T20
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.095 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

TMS44C256-60N 数据手册

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