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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP2, TSOP28,.46 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.92 |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP28,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS44800-80DZ | TI |
获取价格 |
512KX8 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO28 |
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| TMS44800L-10DGC | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44800L-10DZ | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44800L-60DGC | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS44800L-60DZ | TI |
获取价格 |
512KX8 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO28 |
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| TMS44800L-70DGC | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44800L-70DZ | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44800L-80DGC | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS44800L-80DZ | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS44800P-10DGC | TI |
获取价格 |
512KX8 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDSO28 |
|
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